參數(shù)資料
型號： BUJ105AD
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ105AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大小： 127K
代理商： BUJ105AD
BUJ105AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 3 November 2011
7 of 13
NXP Semiconductors
BUJ105AD
Silicon diffused power transistor
7. Package information
Epoxy meets requirements of UL94 V-0 at
1
8
inch.
I
C
/I
B
= 4.
V
CEclamp
< 700 V; V
CC
= 150 V; V
BB
=
5 V,
3 V and
1 V; L
B
= 1
H; L
C
= 200
H.
Fig 14. Test circuit for reverse bias safe operating
area
Fig 13. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
T
j
< T
j(max)
.
Fig 15. Reverse bias safe operating area
001aac048
0.2
0.4
0.6
V
CEsat
(V)
0
10
1
I
C
(A)
10
1
T
j
= 100
°
C
25
°
C
40
°
C
001aab999
DUT
L
C
L
B
I
Bon
V
BB
V
CC
V
CL(CE)
probe point
V
CEclamp
(V)
0
800
600
200
400
001aac049
4
6
2
8
10
I
C
(A)
0
V
BB
=
5 V
3 V
1 V
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PDF描述
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BUJ106AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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