參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ105AD
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor
封裝： BUJ105AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 10/13頁(yè)
文件大?。?/td> 127K
代理商： BUJ105AD
BUJ105AD
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 3 November 2011
10 of 13
NXP Semiconductors
BUJ105AD
Silicon diffused power transistor
10. Revision history
Table 6.
Document ID
BUJ105AD v.2
Modifications:
Revision history
Release date
20111103
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
20041214
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BUJ105AD v.1
BUJ105AD v.1
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ105A NPN power transistor
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BUJ302AD NPN power transistor
BUJ302AX NPN power transistor
BUJ302A NPN power transistor
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參數(shù)描述
BUJ105AD,118 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ105AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ106A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ106A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 10A 3Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUJ106AX 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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