參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ103A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistor
封裝： BUJ103A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大小： 146K
代理商： BUJ103A
BUJ103A
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Product data sheet
Rev. 4 — 8 November 2011
8 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103A
Silicon diffused power transistor
7. Package information
Epoxy meets requirements of UL94 V-0 at
1
8
inch.
T
mb
25
C; Mounted with heatsink compound and 30
5 Newton force on the center of the envelope.
(1) P
tot
maximum and P
tot
peak maximum lines.
(2) Second breakdown limits.
(3) I = Region of permissible DC operation.
II = Extension for repetitive pulse operation.
III = Extension during turn-on in single transistor converters provided that R
BE
100
and t
p
0.6
s.
Fig 15. Forward bias safe operating area
001aac001
10
1
10
2
10
1
10
2
I
C
(A)
10
3
V
CEclamp
(V)
1
10
3
10
2
10
(1)
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
DC
I
(3)
t
p
= 20
μ
s
duty cycle = 0.01
50
μ
s
II
(3)
III
(3)
(2)
I
CM(max)
I
C(max)
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BUJ103A127 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BUJ103AD 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Silicon diffused power transistor
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BUJ103AU 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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