參數(shù)資料
型號： BUJ103A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistor
封裝： BUJ103A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 7/13頁
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代理商： BUJ103A
BUJ103A
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 8 November 2011
7 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103A
Silicon diffused power transistor
I
C
/I
B
= 4.
I
C
/I
B
= 4.
Fig 11. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 12. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
CEclamp
1000 V; V
CC
= 150 V; V
BB
=
5 V; L
B
= 1
H;
L
C
= 200
H.
Fig 13. Test circuit for reverse bias safe operating
area
T
j
T
j(max)
.
Fig 14. Reverse bias safe operating area
001aab996
V
BEsat
(V)
I
C
(A)
10
1
10
1
0.6
0.8
0.2
0.4
1.0
1.2
1.4
0
001aab997
V
CEsat
(V)
I
C
(A)
10
1
10
1
0.2
0.1
0.3
0.4
0.5
0
001aab999
DUT
L
C
L
B
I
Bon
V
BB
V
CC
V
CL(CE)
probe point
V
CEclamp
(V)
0
1000
800
400
600
200
001aac000
4
6
2
8
10
I
C
(A)
0
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BUJ103AU 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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