參數(shù)資料
型號： BUJ103A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistor
封裝： BUJ103A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 2/13頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： BUJ103A
BUJ103A
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 8 November 2011
2 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103A
Silicon diffused power transistor
3. Ordering information
4. Limiting values
Table 2.
Type number
Ordering information
Package
Name
TO-220AB
Description
plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-leads
Version
SOT78
BUJ103A
Table 3.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CESM
peak collector-emitter voltage
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
I
C
collector current (DC)
I
CM
peak collector current
I
B
base current (DC)
I
BM
peak base current
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
Limiting values
Conditions
V
BE
= 0 V
open emitter
open base
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
65
Max
700
700
400
4
8
2
4
80
+150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
25
C; see
Figure 1
-
150
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a function of mounting base temperature
T
mb
(
°
C)
0
160
120
40
80
001aab993
40
80
120
P
der
(%)
0
P
der
%
P
P
tot
25
C
------------------------
100
%
=
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