參數(shù)資料
型號： BUJ103A
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistor
封裝： BUJ103A<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,;
文件頁數(shù)： 6/13頁
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代理商： BUJ103A
BUJ103A
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 8 November 2011
6 of 13
NXP Semiconductors
BUJ103A
Silicon diffused power transistor
V
CC
= 300 V; V
BB
=
5 V; L
C
= 200
H; L
B
= 1
H.
Fig 7.
Test circuit for inductive load switching
Fig 8.
Switching times waveforms for inductive load
T
j
= 25
C.
Fig 9.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values
001aab991
V
CC
L
C
DUT
L
B
I
Bon
V
BB
001aab992
I
C
I
B
90 %
t
off
I
Bon
t
s
t
f
t
t
I
Boff
I
Con
10 %
001aab994
I
C
(A)
10
2
10
1
10
1
10
10
2
h
FE
1
V
CE
= 5 V
1 V
T
j
= 25
°
C
I
B
(A)
10
2
10
1
10
1
001aab995
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
V
CEsat
(V)
0
I
C
= 1 A
2 A 3 A
4 A
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BUJ103AU 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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