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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2722DX |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 825V五（巴西）總裁| 10A條一（c）|的SOT - 399 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | BU2722DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2722DX
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 5.88 g
Fig.13. SOT399; The seating plane is electrically isolated from all terminals.
Notes
1. Refer to mounting instructions for F-pack envelopes.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
4.5
16.0 max
0.7
10.0
5.1
27
max
18.1
min
4.5
2.2 max
1.1
0.4 M
5.45
5.45
25
25.1
25.7
3.0
5.8 max
3.3
0.95 max
2
3.3
22.5
max
January 1997
6
Rev 1.000
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PDF描述 |
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