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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BU2722DX |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 825V五（巴西）總裁| 10A條一（c）|的SOT - 399 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | BU2722DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2722DX
Fig.5. DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
Parameter T
(Low and high gain)
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CEsat
= f (I
C
); parameter I
C
/I
B
Fig.7. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f (I
B
); parameter I
C
Fig.8. Limit storage and fall time.
t
s
= f (I
B
); tf = f (I
B
); T
hs
= 85C; f = 64 kHz
Fig.9. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD 25C = f (T
hs
)
Fig.10. Transient thermal impedance.
Z
th
j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
BU2720/22DF
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Ths = 25 C
Ths = 85 C
VCE = 1 V
hFE
IC / A
0
1
2
3
4
0.1
1
10
IB / A
ts, tf / us
BU2722AF
BU2722DF
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Ths = 85 C
Ths = 25 C
IC/IB = 8
IC/IB = 4
VCEsat / V
IC / A
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
with heatsink compound
0
0.5
1
1.5
2
0.6
0.7
0.8
0.9
1
IC = 5.5 A
4.5 A
VBEsat / V
BU2722DF
IB / A
Ths = 85 C
Ths = 25 C
1E-06
1E-04
1E-02
1E+00
t / s
Zth / (K/W)
D = 0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
10
1
0.1
0.01
0.001
January 1997
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2725DF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BU2725DX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
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| BU2725AF | Silicon Diffused Power Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BU2725DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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