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參數(shù)資料
| 型號： | BU2722DX |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 825V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-399 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 825V五（巴西）總裁| 10A條一（c）|的SOT - 399 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | BU2722DX |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2722DX
Fig.1. Switching times waveforms (64 kHz).
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit.
Fig.4. DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
Parameter T
(Low and high gain)
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
16us
6.5us
5us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2720/22DF
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
Ths = 25 C
Ths = 85 C
VCE = 5 V
hFE
IC / A
January 1997
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BU2725DF | Silicon Diffused Power Transistor |
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| BU2725AF | Silicon Diffused Power Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BU2725DF | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
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