參數(shù)資料
型號： BSS123W
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： BSS123W
DS30368 Rev. 2 - 2
3 of 3
BSS123W
www.diodes.com
0
50
0
5
15
20
25
C
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DS
Fig. 5 Typical Capacitance
10
40
30
10
20
Ciss
Coss
Crss
f = 1.0MHz
0.4
0.8
1.2
-50
0
75
100
125 150
R
N
D
T , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 4 On-Resistance Variation with Temperature
1.6
1.8
2.2
-25
25
50
0.6
1
1.4
2
V
I = 170m
= 10V
GS
0.7
0.8
0.9
-50
0
75
100
125 150
V
N
G
T , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 3 Gate Threshold Variation with Temperature
1
1.1
1.2
-25
25
50
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
Date Code Key
K23 = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
K23
Y
Marking Information
Notes:
Device
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS138PW 60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSS123W_0711 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123W_1 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
BSS123W-7 功能描述:MOSFET 100V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS123W-7-F 功能描述:MOSFET 100V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSS123WQ-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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