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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSS123W |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BSS123W |
DS30368 Rev. 2 - 2
2 of 3
BSS123W
www.diodes.com
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
100
V
μA
nA
V
GS
= 0V, I
D
= 250 A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
1.0
10
50
Gate-Body Leakage, Forward
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
I
GSSF
nA
V
GS(th)
0.8
1.4
2.0
6.0
10
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 0.17A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 0.17A
V
DS
= 10V, I
D
= 0.17A, f = 1.0KHz
V
GS
= 0V, I
S
= 0.34A
Static Drain-Source On-Resistance
R
DS (ON)
Forward Transconductance
g
FS
V
SD
80
370
0.84
mS
V
Drain-Source Diode Forward Voltage
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Rise Time
Turn-Off Fall Time
Turn-On Delay Time
Turn-Off Delay Time
1.3
C
iss
C
oss
C
rss
29
10
2
60
15
6
pF
pF
pF
V
= 25V, V
GS
= 0V
f = 1.0MHz
t
r
t
f
8
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 30V, I
= 0.28A,
R
GEN
= 50 , V
GS
= 10V
16
8
13
t
D(ON)
t
D(OFF)
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Notes: 2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
0.8
1.2
1.6
0.1
0.2
R
,
D
D
I , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 2 On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain-Source Current
V
= 4V
GS
2.0
2.4
0.3
0.4
0.5
0.6
V
= 3V
GS
V
= 5, 6, 7, 10V
GS
0
0.2
0.7
0
1
3
4
5
I
D
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
DS
Fig. 1 On-Region Characteristics
V
= 4V
GS
2
0.6
0.5
0.1
0.3
0.4
V
= 3V
GS
V
= 10, 7, 6, 5V
GS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS123 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| BSS123 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS123-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138DW | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138PW | 60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSS123W_0711 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS123W_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS123W-7 | 功能描述:MOSFET 100V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSS123W-7-F | 功能描述:MOSFET 100V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSS123WQ-7-F | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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