參數(shù)資料
型號： BSM75GB60DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Hchstzulssige Werte Maximum rated values
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BSM75GB60DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 75 GB 60 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
14,8
0,0018
232,6
0,0487
183,4
0,0240
223,1
0,0169
123,4
0,0651
140,1
0,1069
28,4
0,6626
64,2
0,9115
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
= +15V, R
G,off
= 3,0
,
T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
700
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth:IGBT
Zth:Diode
7 (8)
BSM 75 GB 60 DLC
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTC 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSR17A Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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參數(shù)描述
BSM75GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 100A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標準包裝:10
BSM75GD120DLC 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 125A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM75GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM75GD170DL 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM75GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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