參數(shù)資料
型號： BSM75GB60DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Hchstzulssige Werte Maximum rated values
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BSM75GB60DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 75 GB 60 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
I
C
= 75A, V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,0
, T
vj
= 25°C
t
d,on
-
63
-
ns
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,0
, T
vj
= 125°C
-
65
-
ns
I
C
= 75A, V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,0
, T
vj
= 25°C
t
r
-
22
-
ns
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,0
, T
vj
= 125°C
-
25
-
ns
I
C
= 75A, V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,0
, T
vj
= 25°C
t
d,off
-
155
-
ns
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,0
, T
vj
= 125°C
-
170
-
ns
I
C
= 75A, V
CC
= 300V
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,0
, T
vj
= 25°C
t
f
-
20
-
ns
V
GE
= ±15V, R
G
= 3,0
, T
vj
= 125°C
-
35
-
ns
I
C
= 75A, V
CC
= 300V, V
GE
= 15V
R
G
= 3,0
, T
vj
= 125°C, L
σ
= 30nH
I
C
= 75A, V
CC
= 300V, V
GE
= 15V
R
G
= 3,0
, T
vj
= 125°C, L
σ
= 30nH
t
P
≤
10μsec, V
GE
≤
15V
T
vj
≤
125°C, V
CC
=360V, V
CEmax
= V
CES
-L
σ
CE
·di/dt
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
σ
CE
-
40
-
nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
T
c
= 25°C
R
CC'+EE'
-
1,2
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 75A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
-
1,25
1,6
V
I
F
= 75A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
1,20
-
V
I
F
= 75A, -di
F
/dt= 3000A/μsec
V
R
= 300V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
95
-
A
V
R
= 300V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
-
115
-
A
I
F
= 75A, -di
F
/dt= 3000A/μsec
V
R
= 300V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
5,1
-
μC
V
R
= 300V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
-
7,9
-
μC
I
F
= 75A, -di
F
/dt= 3000A/μsec
V
R
= 300V, V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
-
-
mJ
V
R
= 300V, V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C
-
2,3
-
mJ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
A
V
F
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
SC
-
340
mJ
-
0,7
-
mJ
-
2,4
-
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
Einschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzgerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
Kurzschluverhalten
SC Data
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
E
off
E
on
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
-
2 (8)
BSM 75 GB 60 DLC
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
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BSP75GTC 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSM75GD120DLC 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 125A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM75GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM75GD170DL 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM75GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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