參數(shù)資料
型號： BSM75GB60DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Hchstzulssige Werte Maximum rated values
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BSM75GB60DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 75 GB 60 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
-
-
0,35
K/W
-
-
0,66
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K /
λ
grease
= 1W/m*K
R
thCK
-
0,03
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
5
Nm
-15
+15
%
Schraube M6
screw M6
M1
g
180
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
R
thJC
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gewicht
weight
Transistor / transistor, DC
Diode / diode, DC
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung
mounting torque
CTI
comperative tracking index
Kriechstrecke
creepage insulation
Luftstrecke
clearance
mm
8,5
mm
15
275
Al
2
O
3
3 (8)
BSM 75 GB 60 DLC
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTC 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSR17A Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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參數(shù)描述
BSM75GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 100A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標準包裝:10
BSM75GD120DLC 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 125A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM75GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM75GD170DL 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM75GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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