參數(shù)資料
型號： BSM75GB60DLC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Hchstzulssige Werte Maximum rated values
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BSM75GB60DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 75 GB 60 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
0
25
50
75
100
125
150
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
), E
off
= f (I
C
), E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
G,on
= 3,0
,
=
R
G,off
= 3,0
, V
CC
= 300V, T
vj
= 125°C
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
0
5
10
15
20
25
30
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
), E
off
= f (R
G
), E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 75A , V
CC
= 300V , T
vj
= 125°C
6 (8)
BSM 75 GB 60 DLC
2000-02-08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO4822 OptiMOS Small-Signal-Transistor
BSP75G 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTA 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSP75GTC 60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch
BSR17A Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM75GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 100A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM75GD120DLC 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 125A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM75GD120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM75GD170DL 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM75GD60DLC 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*