參數(shù)資料
型號： BSM100GP60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述： 135 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-24
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： BSM100GP60
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM100GP60
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
Trans. Bremse/ Trans. Brake
Diode Bremse/ Diode Brake
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
Diode Wechsr./ Diode Inverter
R
thJC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0,5
0,3
0,5
0,5
1,2
-
-
-
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
λ
Paste
=1W/m*K
R
thCK
0,04
0,02
0,04
λ
grease
=1W/m*K
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M
3
Nm
±10%
Gewicht
weight
G
300
g
4(11)
DB-PIM-10.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM150GB120DLC Technische Information / Technical Information
BSM200GA120DLC Technische Information / Technical Information
BSM200GB170DLC RP Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 09V; Output Voltage (Vdc): 05V; Power: 1W; Pot-Core Transformer - separated windings; High 5.2kVDC Isolation in compact size; Optional Continuous Short Circuit Protected; Pin Compatible with RH & RK Series; Approved for Medical Applications; UL and EN Safety Approvals; Efficiency to 82%
BSM200GB60DLC Technicshe Information
BSM25GD120DN2 IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM100GT120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 100A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM100GT170DL 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
BSM101 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode)
BSM101AR 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIMOPAC Module (Power module Single switch N channel Enhancement mode)
BSM10GD100D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 10A I(C)
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