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參數(shù)資料
| 型號： | BPV10NF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 光敏二極管 |
| 英文描述： | Photodiode PIN Chip 940nm 0.55A/W Sensitivity 2-Pin T-1 3/4 |
| 中文描述： | Photodiodes 60V 215mW 875nm |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | BPV10NF |
BPV10NF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.8, 22-Nov-11
3
Document Number: 81503
For technical questions, contact:
detectortechsupport@vishay.com
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www.vishay.com/doc91000
Fig. 3 - Reverse Light Current vs. Irradiance
Fig. 4 - Reverse Light Current vs. Reverse Voltage
Fig. 5 - Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 6 - Relative Spectral Sensitivity vs. Wavelength
Fig. 7 - Relative Radiant Sensitivity vs. Angular Displacement
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
I
r
E
e
- Irradiance (mW/cm2)
10
94 8622
V
R
= 5 V
= 870 nm
λ
0.1
1
10
1
10
100
V
R
- Reverse Voltage (V)
100
94 8623
I
r
1 mW/cm
2
0.5 mW/cm
2
0.2 mW/cm
2
0.1 mW/cm
2
0.05 mW/cm
2
0.02 mW/cm
2
λ
= 870 nm
0
2
4
6
8
12
10
0.1
1
10
C
D
V
R
- Reverse Voltage (V)
100
94 8439
E = 0
f = 1 MHz
94 8426
S
λ
)
r
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
750
850
950
1050
1150
λ
- Wavelength (nm)
0.4
0.2
0
S
-
r
94 8624
0.6
0.9
0.8
0°
30°
10°
20°
40°
50°
60°
70°
80°
0.7
1.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPV10 | Silicon PIN Photodiode(反向電壓60V，寬帶檢測器應(yīng)用的PIN光二極管) |
| BPV10 | Photo Diode, PIN PHOTO DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| BPV11F | Silicon NPN Phototransistor(檢測應(yīng)用的高靈敏度NPN外延平面型光晶體管) |
| BPV11F | Silicon NPN Phototransistor |
| BPV11F | Phototransistor IR Chip Silicon 930nm 2-Pin T-1 3/4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPV10NF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Photo Diode |
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| BPV11 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTOTRANSISTOR T1.3/4 |
| BPV11_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant |
| BPV11F | 功能描述:光電晶體管 15 Degree 150mW RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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