參數(shù)資料
型號： BFG10
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 2 GHz RF power transistor
封裝： BFG10<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG10/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47,
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 257K
代理商： BFG10
NXP
Semiconduct
ors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10; BFG10/X
Test circuit information
handbook, full pagewidth
MLC822
L9
C11
C1
L8
L2
L3
L5
L4
L1
C10
C14, C15,
C16
C12
C13
C2, C3,
C4, C5
C6, C7,
C8
R1
T1
R2
L10
Vbias
50
input
50
output
C9
DUT
L6
L7
VS
Fig.7 Common-emitter test circuit for class-AB operation at 1.9 GHz.
Rev. 05 - 22 November 2007
6 of 11
相關PDF資料
PDF描述
BFG10 NPN 2 GHz RF power transistor
BFG25AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFG25AW NPN 5 GHz wideband transistor
BFG25A NPN 5 GHz wideband transistor
BFG25A NPN 5 GHz wideband transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BFG10,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG10/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF
BFG10/X 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10/X,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG10W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*