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參數(shù)資料
| 型號： | BFG10 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor |
| 封裝： | BFG10<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG10/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大小： | 257K |
| 代理商： | BFG10 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10; BFG10/X
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to
soldering point
up to T
s
= 60
°
C; note 1;
P
tot
= 400 mW
290
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
100
3
2
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector leakage current
DC current gain
collector capacitance
feedback capacitance
open emitter; I
C
= 0.1 mA
open base; I
C
= 5 mA
open collector; I
E
= 0.1 mA
V
CE
= 5 V; V
BE
= 0
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 3.6 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 3.6 V; f = 1 MHz
20
8
2.5
25
V
V
V
μ
A
pF
pF
Fig.2
Power derating curve
handbook, halfpage
(mW)
400
0
50
100
200
200
0
MLC818
150
s
o
300
100
I
C
= 0; f = 1 MHz.
Fig.3
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
MLC819
0
10
4
8
0
1.5
6
1.0
0.5
VCB(V)
2
Rev. 05 - 22 November 2007
3 of 11
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG10 | NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG10,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG10/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG10/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
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