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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG10 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor |
| 封裝： | BFG10<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG10/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | BFG10 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10; BFG10/X
APPLICATION INFORMATION
RF performance at T
amb
= 25
°
C in a common-emitter test circuit (see Fig.7).
Ruggedness in class-AB operation
The BFG10 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 8 : 1 through all phases, at rated
output power under pulsed conditions up to a supply voltage of 7 V, f = 1.9 GHz and a duty cycle of 1 : 8.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
I
CQ
(mA)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
>
5
typ. 7
η
c
(%)
>
50
typ. 60
Pulsed, class-AB, duty cycle: < 1 : 8
1.9
3.6
1
200
Pulsed, class-AB operation.
V
CE
= 3.6 V; V
BE
= 0.65 V; f = 1.9 GHz; duty cycle < 1 : 8.
Circuit optimized for P
L
= 200 mW.
Fig.4
Power gain and efficiency as functions
of load power; typical values.
handbook, halfpage
(dB)
0
500
0
2
MLC820
4
6
8
100
0
20
40
60
80
100
200
300
400
Gp
PL
c
(%)
η
c
η
Fig.5
Load power as a function of drive
power; typical values.
Pulsed, class-AB operation.
V
CE
= 3.6 V; V
BE
= 0.65 V; f = 1.9 GHz; duty cycle < 1 : 8.
Circuit optimized for P
L
= 200 mW.
handbook, halfpage
(mW)
0
50
100
150
0
400
MLC821
300
200
100
D
Rev. 05 - 22 November 2007
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG10 | NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG10,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG10/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG10/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
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