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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG10 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor |
| 封裝： | BFG10<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG10/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | BFG10 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10; BFG10/X
SPICE parameters for the BFG10 crystal
Note
1.
These parameters have not been extracted,
the default values are shown.
SEQUENCE No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
(1)
20
(1)
21
(1)
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
(1)
35
(1)
36
(1)
37
(1)
38
PARAMETER
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RB
IRB
RBM
RE
RC
XTB
EG
XTI
CJE
VJE
MJE
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
CJC
VJC
MJC
XCJC
TR
CJS
VJS
MJS
FC
VALUE
2.714
102.8
0.998
28.12
6.009
403.2
2.937
31.01
0.999
2.889
0.284
1.487
1.100
3.500
1.000
3.500
0.217
0.196
0.000
1.110
3.000
5.125
0.600
0.367
12.07
99.40
7.220
3.950
0.000
2.327
0.668
0.398
0.160
0.000
0.000
750.0
0.000
0.652
UNIT
fA
V
A
pA
V
A
fA
μ
A
eV
pF
V
ps
V
A
deg
pF
V
ns
F
mV
List of components
(see Fig.6)
DESIGNATION
VALUE
UNIT
C
be
C
cb
C
ce
L1
L2
L3
L
B
L
E
84
17
191
0.12
0.21
0.06
0.95
0.40
fF
fF
fF
nH
nH
nH
nH
nH
QL
= 50; QL
= 50; QL
(f) = QL
B,E
√
(f/f
c
);
f
c
= scaling frequency = 100 MHz.
Fig.6 Package equivalent circuit SOT143.
handbook, halfpage
MBC964
B
E
C
B'
C'
E'
LB
LE
L3
L1
L2
Ccb
Cbe
ce
C
Rev. 05 - 22 November 2007
5 of 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG10 | NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG10,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG10/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG10/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
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