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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG10 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor |
| 封裝： | BFG10<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BFG10/X<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | BFG10 |
NXP
Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG10; BFG10/X
FEATURES
High power gain
High efficiency
Small size discrete power amplifier
1.9 GHz operating area
Gold metallization ensures
excellent reliability.
APPLICATIONS
Common emitter class-AB
operation in hand-held radio
equipment at 1.9 GHz.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistor
encapsulated in plastic, 4-pin
dual-emitter SOT143 package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG10
(see Fig.1)
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
BFG10/X
(see Fig.1)
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
Fig.1 SOT143.
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
1
2
3
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG10
BFG10/X
%MS
%MT
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at T
amb
= 25
°
C in a common-emitter test circuit (see Fig.7).
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
≥
5
η
c
(%)
≥
50
Pulsed, class-AB, duty cycle: < 1 : 8
1.9
3.6
200
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(AV)
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
average collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
8
2.5
250
250
400
+150
175
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
up to T
s
= 60
°
C; see Fig.2; note 1
Rev. 05 - 22 November 2007
2 of 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG10 | NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG10,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG10/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG10/X,215 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG10W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:UHF power transistor |
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