SLOW V
參數(shù)資料
型號： AT91SAM9XE256-CU
廠商： Atmel
文件頁數(shù)： 5/159頁
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描述： MCU ARM9 256K FLASH 217-BGA
產(chǎn)品培訓模塊： MCU Product Line Introduction
標準包裝： 126
系列： SAM9XE
核心處理器： ARM9
芯體尺寸： 16/32-位
速度： 180MHz
連通性： EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，MMC，SPI，SSC，UART/USART，USB
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 96
程序存儲器容量： 256KB（256K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 56K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.65 V ~ 1.95 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 4x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 217-LFBGA
包裝： 托盤
配用： AT91SAM9XE-EK-ND - KIT EVAL FOR AT91SAM9XE
AT91SAM-ICE-ND - EMULATOR FOR AT91 ARM7/ARM9
PIC16F62X
DS40300C-page 100
Preliminary
2003 Microchip Technology Inc.
FIGURE 14-11:
EXTERNAL POWER-ON
RESET CIRCUIT (FOR
SLOW VDD POWER-UP)
FIGURE 14-12:
EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 1
FIGURE 14-13:
EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 2
Note
1: External Power-on Reset circuit is required
only if V
DD power-up slope is too slow. The
diode D helps discharge the capacitor
quickly when V
DD powers down.
2: R < 40 k
is recommended to make sure
that voltage drop across R does not violate
the device’s electrical specification.
3: R1 = 100
to 1 k will limit any current
flowing into MCLR from external capacitor
C in the event of MCLR/V
PP pin breakdown
due to Electrostatic Discharge (ESD) or
Electrical Overstress (EOS).
C
R1
R
D
V
DD
MCLR
PIC16F62X
V
DD
Note
1: This circuit will activate RESET when V
DD
goes below (Vz + 0.7V) where Vz = Zener
voltage.
2: Internal Brown-out Detect Reset circuitry
should be disabled when using this circuit.
V
DD
33k
10k
40k
V
DD
MCLR
PIC16F62X
Vdd x
R1
R1 + R2
= 0.7 V
V
DD
R2
40k
V
DD
MCLR
PIC16F62X
R1
Q1
Note
1:
This Brown-out Circuit is less expensive, albeit
less accurate. Transistor Q1 turns off when V
DD is
below a certain level such that:
2:
Internal Brown-out Detect Reset should be
disabled when using this circuit.
3:
Resistors should be adjusted for the
characteristics of the transistor.
V
DD x
R1
R1 + R2
= 0.7V
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PDF描述
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