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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am7968-175LKC |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | TAXIchip Integrated Circuits(Transparent Asynchronous Xmitter-Receiver Interface) |
| 中文描述： | TAXIchip集成電路（透明異步Xmitter，接收器接口） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 124/127頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 730K |
| 代理商： | AM7968-175LKC |
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AMD
120
TAXIchip Integrated Circuits Technical Manual
TAXI T
echnical
I
nformation
P
ublication
#89-15
S ubjec t: General Devic e Information for 125/175 MHz T AX Ic hips
This T.I.P. provides general information about the design and manufacturing of the
125 MHz and 175 MHz TAXIchips. The information is separated into three categories:
Design, Wafer Fab, and Assembly/Packaging.
Design:
Transmitter (TX)
Receiver (RX)
Product P/N:
Am7968-125
Am7968-175
4768
170 x 167 mils
2
3386
14
2504
87
595
Am7969-125
Am7969-175
4769
196 x 187 mils
2
4384
24
3556
76
720
Die Number:
Chip Dimensions:
# NPN Transistors:
# PNP Transistors:
# Resistors:
# Diodes:
Equiv. Gate Count:
I/O Schematics:
Supply Currents:
See TAXI TIP #89-12
Typical Values (mA), V
CC
= 5.5 V Process=Nominal, CD 028 package,
Temp. forced with moving air flow (approx. theta
JMA
= 20
°
C/W)
0
°
C
25
°
C
215
203
250
237
–55
°
C
230
272
70
°
C
187
212
125
°
C
178
182
Transmitter:
Receiver:
Wafer Fab:
Location:
Fab 2A, San Antonio, TX (formerly Fab 11) Process ID:
Bipolar IMOX–S2: 402L–1156
Metal One:
TiW (barrier metal): 1800 A nom. thickness AlCu: 1.0% Cu,
8000 A nom. thickness Pitch = 4
μ
AlCu: 1.0% Cu, 15500 A nom. thickness Pitch = 8
μ
Silox/Nitride dual layer.
7500 A nominal thickness Nitride: 6800 A nominal thickness
Metal Two:
Passivation:
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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