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參數(shù)資料
| 型號： | Am29LV800B-90R |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 8 Megabit (1,048,576 x 8-Bit/524,288 x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Sectored Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（1,048,576 x 8-Bit/524，288 x 16位），3.0伏的CMOS只，扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 207K |
| 代理商： | AM29LV800B-90R |
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22
Am29LV800T/Am29LV800B
P R E L I M I N A R Y
Word/Byte Configuration
The BYTE pin of the Am29LV800 is used to set device
data I/O pins in the byte or word configuration. If the
BYTE pin is set at logic ‘1’, the device is in word config-
uration, DQ0–15 are active and controlled by CE and
OE (see Figure 5).
If the BYTE pin is set at logic ‘0’, the device is in byte
configuration, and only data I/O pins DQ0–7 are active
and controlled by CE and OE. The data I/O pins DQ8–
14 are tri-stated. In byte mode, the DQ15 pin is used as
an input for the LSB (A-1) address function (see Figure 6).
OE
BYTE
DQ8–DQ14
DQ8–DQ14
DQ15/A-1
DQ8–DQ14
t
ELFH
CE
A-1
DQ15
t
FHQV
20478D-12
Figure 5.
Timing Diagram for Word Mode Configuration
DQ8–DQ14
t
ELFL
OE
CE
BYTE
DQ15/A-1
DQ8–DQ14
A-1
DQ8–DQ14
DQ15
t
FLQZ
20478D-13
Figure 6.
Timing Diagram for Byte Mode Configuration
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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