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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BDS640GTD8WSI |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 14 ns, PBGA80 |
| 封裝： | 11 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-80 |
| 文件頁數(shù)： | 54/65頁 |
| 文件大小： | 899K |
| 代理商： | AM29BDS640GTD8WSI |
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October 31, 2002
Am29BDS640G
53
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
Figure 25.
Chip/Sector Erase Command Sequence
Notes:
1. SA is the sector address for Sector Erase.
2. Address bits A21–A12 are don’t cares during unlock cycles in the command sequence.
OE#
CE#
Data
Addresses
AVD#
WE#
CLK
V
CC
t
AS
t
WP
t
AH
t
WC
t
WPH
SA
555h for
chip erase
t
VCS
t
CS
t
DH
t
CH
In
Progress
t
WHWH2
VA
Complete
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
t
DS
10h for
chip erase
V
IH
V
IL
t
AVDP
55h
2AAh
30h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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