參數(shù)資料
型號(hào)： 71V3557SA75BGI8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 26/28頁(yè)
文件大?。?/td> 511K
代理商： 71V3557SA75BGI8
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Pin Configuration - 256K x 18, 119 BGA
Top View
NOTES:
1. R5 and J5 do not have to be directly connected to VSS as long as the input voltage is < VIL.
2. J3 does not have to be directly connected directly to VDD as long as the input voltage is
≥ VIH.
3. G4 and A4 are reserved for future 8M and 16M respectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5.
TRST is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.
6. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
1
2345
67
A
VDDQ
A6
A4
A8
A16
VDDQ
B
NC
CE 2
A3
ADV/
LD
A9
CE2
NC
C
A7
A2
VDD
A12
A15
NC
D
I/O16
I/OP3
VSS
NC
VSS
I/OP2
I/O15
E
I/O17
I/O18
VSS
I/O13
I/O14
F
VDDQ
I/O19
VSS
OE
VSS
I/O12
VDDQ
G
I/O20
I/O21
BW3
BW2
I/O11
I/O10
H
I/O22
I/O23
VSS
R/
W
VSS
I/O9
I/O8
J
VDDQ
VDD
VDDQ
K
I/O24
I/O26
VSS
CLK
VSS
I/O6
I/O7
L
I/O25
I/O27
BW4
NC
BW1
I/O4
I/O5
M
VDDQ
I/O28
VSS
CEN
VSS
I/O3
VDDQ
N
I/O29
I/O30
VSS
A1
VSS
I/O2
I/O1
P
I/O31
I/OP4
VSS
A0
VSS
I/O0
I/OP1
R
NC
A5
LBO
VDD
A13
T
NC
A10
A11
A14
NC
NC/ZZ(6)
U
VDDQ
NC/TMS(4)
NC/TDI(4)
NC/TCK(4) NC/TDO(4) NC/TRST(4,5) VDDQ
5282 drw 13A
VSS(1)
NC
NC(3)
CE1
NC(3)
VDD(2)
VSS(1)
,
NC
1
234
567
A
VDDQ
A6
A4
NC(3)
A8
A16
VDDQ
B
NC
CE2
A3
ADV/
LD
A9
CE2
NC
C
A7
A2
VDD
A13
A17
NC
D
I/O8
NC
VSS
NC
VSS
I/O7
NC
E
NC
I/O9
VSS
NC
I/O6
F
VDDQ
NC
VSS
OE
VSS
I/O5
VDDQ
G
NC
I/O10
BW2
NC
I/O4
H
I/O11
NC
VSS
R/
W
VSS
I/O3
NC
J
VDDQ
VDD
VDDQ
K
NC
I/O12
VSS
CLK
VSS
NC
I/O2
L
I/O13
NC
BW1
I/O1
NC
M
VDDQ
I/O14
VSS
CEN
VSS
NC
VDDQ
N
I/O15
NC
VSS
A1
VSS
I/O0
NC
P
NC
I/OP2
VSS
A0
VSS
NC
I/OP1
R
NC
A5
LBO
VDD
A12
T
NC
A10
A15
NC
A14
A11
NC/ZZ(6)
U
VDDQ
NC/TMS(4)
NC/TDI(4)
NC/TCK(4) NC/TDO(4) NC/TRST(4,5) VDDQ
5282 drw 13B
NC
SS(1)
V
VSS
CE1
NC(3)
VDD(2)
VSS(1)
,
NC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V3557SA85BG8 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
71V67703S75BQ 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
72-30-33 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-40-43 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-10-14 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
71V3558S100PFG 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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71V3558S133BG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:4.5MBIT SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 256K X 18 4.2NS - Trays 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IDT 71V3558S133BG, 4.5MBit SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K x 18 4.2ns 119-Pin BGA
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