參數(shù)資料
型號: 71V3557SA75BGI8
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: SRAM
英文描述: 128K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù): 23/28頁
文件大?。?/td> 511K
代理商: 71V3557SA75BGI8
6.42
4
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram 256K x 18
Recommended DC Operating
Conditions
NOTES:
1. VIL (min.) = –1.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.
2. VIH (max.) = +6.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.
Clk
DQ
Address A [0:17]
Control Logic
Address
Control
DI
DO
Input
R
egi
s
ter
5282 drw 01a
Clock
Data I/O [0:15], I/O P[1:2]
Mux
Sel
Gate
OE
CE1,CE2 CE2
R/
W
CEN
ADV/
LD
BWx
LBO
256K x 18 BIT
MEMORY ARRAY
,
JTAG
(SA Version)
TMS
TDI
TCK
TDO
TRST
(optional)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VDD
Core Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
VDDQ
I/O Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
VSS
Ground
0
V
VIH
Input High Voltage - Inputs
2.0
____
VDD + 0.3
V
VIH
Input High Voltage - I/O
2.0
____
VDDQ + 0.3(2)
V
VIL
Input Low Voltage
-0.3(1)
____
0.8
V
5282 tbl 04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
71V3557SA85BG8 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
71V67703S75BQ 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
72-30-33 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-40-43 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
72-10-14 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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71V3558S100PFG8 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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71V3558S133BG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:4.5MBIT SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 256K X 18 4.2NS - Trays 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IDT 71V3558S133BG, 4.5MBit SRAM Chip Sync Single 3.3V 256K x 18 4.2ns 119-Pin BGA