參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1317
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 48K
代理商： 2SK1317
2SK1317
6
5
0.8
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
1
0.4
1.2
1.6
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
0
0
V
GS
= 0, –5 V
10 V, 15 V
Pulse Test
3
4
2
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Pulse
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 1.25°C/W, T
C
= 25°C
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T
Vout Monitor
V
DD
=
R
L
Waveforms
Vin
Vout
t
d (on)
10%
t
r
t
f
10%
90%
10%
90%
t
d (off)
90%
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SK1318 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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