參數(shù)資料
型號： 2SK1317
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SK1317
2SK1317
4
50
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
40
10
4
12
16
0
20
30
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
1 A
I
D
= 3 A
Pulse Test
0.5 A
2 A
50
0.5
10
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
20
1.0
0.2
1.0
5
0.1
5
10
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
2
0.5
2
15 V
V
GS
= 10 V
Pulse Test
20
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
16
4
0
80
120
0
–40
8
12
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
I
D
= 2 A
V
= 15 V
Pulse Test
0.5 A, 1 A
10
0.1
5
Drain Current I
D
(A)
F
y
5
0.5
0.05
0.2
1.0
0.1
1.0
2
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
V
= 20 V
Pulse Test
0.2
0.5
2
75
°
C
–25
°
C
Ta = 25
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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