參數(shù)資料
型號： 2SK1317
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 48K
代理商： 2SK1317
2SK1317
3
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Power vs. Temperature Derating
C
10
1.0
0.1
0.01
100
1,000
10,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
3
0.03
10
30
300
3,000
Ta = 25°C
10
μ
s
100
DCOpeaion(T
C
=25C
Operation in this area
is limited by R
DS (on)
0.3
5
40
100
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Output Characteristics
4
1
20
60
80
Pulse Test
0
2
3
5 V
V
GS
= 4 V
D
D
6 V
7 V
8 V
10 V
15 V
2.0
4
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
1.6
0.4
2
6
8
–25
°
C
0
0.8
1.2
V
DS
= 20 V
Pulse Test
75
°
C
T
C
= 25
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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