參數(shù)資料
型號： 2SK1317
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SK1317
2SK1317
5
5,000
0.1
Reverse Drain Current I
DR
(A)
5
R
r
2,000
200
0.05
0.2
1.0
50
500
1,000
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
GS
= 0
Pulse Test
100
0.5
2
10,000
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
100
10
30
40
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
10
Crss
Coss
Ciss
V
= 0
f = 1 MHz
1,000
1,000
40
100
Gate Charge Qg (nc)
D
D
800
20
60
0
80
600
400
200
V
DD
= 600 V
400 V
250 V
V
DS
Dynamic Input Characteristics
V
DD
= 250V
400 V
600 V
V
GS
20
G
G
16
12
8
4
0
I
D
= 2.5 A
1,000
0.2
Drain Current I
D
(A)
5
S
500
50
0.1
0.5
2
10
100
200
0.05
20
1.0
Switching Characteristics
t
f
t
d (off)
t
r
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
t
d (on)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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