| 型號(hào): | 2SJ673 |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | 36 A, 60 V, 0.031 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝: | TO-220, MP-45F, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商: | 2SJ673 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ680 | 2.5 A, 200 V, 2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ687 | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SJ687-ZK-E2-AY | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SJ687-ZK-E1-AY | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SJ687-ZK-E2-AY | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ673-AZ | 功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ676 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS Type Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications |
| 2SJ676_09 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Regulator, DC/DC Converter and |
| 2SJ680 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Applications |
| 2SJ680(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Pch -200V -2.5A 2.0@10V New PW-Mold2 Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET,Pch ,V=200V,I=2.5A,PW-Mold2 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 2.5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2 |