參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ669
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 5 A, 60 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, 2-8M1B, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： 2SJ669
2SJ669
2004-08-18
5
EAS – Tch
Channel temperature (initia) Tch (°C)
Av
al
an
ch
e
ner
gy
E
AS
(m
J)
0
25
10
30
50
40
50
75
100
125
150
20
rth tw
Pulse width tw (s)
N
or
m
aliz
ed
tr
an
si
en
tt
he
rm
al
im
peda
nc
e
r th
(t)
/R
th
(
ch-
a)
Drain
source voltage VDS (V)
Safe operating area
0.1
10
100
D
rai
n
cu
rr
en
t
I
D
(A)
0.1
10
100
0.001
0.01
1
0.001
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
0.01
0.1
1
10
T
PDM
t
Duty
= t/T
Rth (ch-a) = 104°C/W
Duty
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
ID max (Pulsed) *
DC operation
Ta
= 25°C
1 ms *
VDSS max
100
s *
*:Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves
must
be
derated
linearly
with
increase
in
temperature.
ID max (Continuous)
RG = 25
VDD = 25 V, L = 2.2 mH
=
VDD
BVDSS
2
I
L
2
1
ΕAS
Test circuit
Waveform
IAR
BVDSS
VDD
VDS
15 V
0 V
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PDF描述
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