參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ567
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (ヰ-MOSV)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山類型（ヰ- MOSV）
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
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代理商： 2SJ567
2SJ567
2002-08-12
5
Pulse width t
w
(S)
r
th
– t
w
N
r
t
/
t
Drain-source voltage V
DS
(V)
Safe operating area
D
V
DD
50 V, L 25.2 mH
0.001
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
0.003
0.005
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
T
PDM
t
Duty t/T
Rth (ch-c) 6.25°C/W
Duty 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
ID max (pulse)
*
DC
operation
100 s
*
1 ms
*
VDSS max
0.005
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
*
Single nonrepetitive pulse
Tc 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
A
Channel temperature Tch (°C)
E
AS
– T
ch
0
25
20
40
60
100
80
50
75
100
125
150
15
V
15
V
Test circuit
Waveform
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
25
VDD
BVDSS
BVDSS
2
I
L
2
1
Ε
AS
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PDF描述
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參數(shù)描述
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