參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ567
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (ヰ-MOSV)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山類型（ヰ- MOSV）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SJ567
2SJ567
2002-08-12
4
D
D
G
t
Case temperature Tc (°C)
R
DS (ON)
– Tc
D
R
D
(
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
DR
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
Case temperature Tc (°C)
V
th
– Tc
Case temperature Tc (°C)
P
D
– Tc
G
V
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic input/output characteristics
D
D
0
80
40
0
40
80
120
160
1
2
3
4
5
6
Common source
VGS 10 V
Pulse test
ID 1.5 A
1.2
1.0
0.1
0
1
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Common source
Tc 25°C
Pulse test
VGS 0 V
1
3
5
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
Ciss
Coss
Crss
Common source
VGS 0 V
f 1 MHz
Tc 25°C
0
80
40
0
40
80
120
160
1
2
3
4
5
Common source
VDS 10 V
ID 1 mA
Pulse test
0
0
40
80
120
160
10
20
30
40
4
0
0
4
8
12
16
20
8
12
16
40
80
120
160
Common source
ID 2.5 A
Tc 25°C
Pulse test
VDS 40 V
80
180
VGS
VDS
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PDF描述
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