參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ567
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (ヰ-MOSV)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山類型（ヰ- MOSV）
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SJ567
2SJ567
2002-08-12
3
F
f
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
Drain current I
D
(A)
Y
fs
– I
D
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
D
R
D
(
0
0
1
2
3
4
5
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Common source
Tc 25°C
Pulse test
VGS 4 V
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5
Common source
Tc 25°C, Pulse test
VGS 4 V
4.2
4.4
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0
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12
16
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2
4
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Common source
Tc 25°C
Pulse test
ID 2.5 A
1.5
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0.1
0.1
1
10
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10
Tc 55°C
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Pulse test
25
100
0.1
0.1
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10
1
10
VGS 10 V
Common source
Tc 25°C
Pulse test
15
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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