參數(shù)資料
型號: 2SC458
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial
中文描述: npn型硅外延
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 41K
代理商: 2SC458
2SC458 (LG), 2SC2310
7
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
1
N
Noise Figure vs. Collector to Emitter Voltage
8
6
4
2
0
30
20
10
5
2
I
C
= 0.1 mA
R
= 500
f = 120 Hz
h Parameter vs. Collector Current
100
50
V
= 6 V
f = 270 Hz
P
C
20
10
5
2
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Collector Current I
C
(mA)
0.010.02 0.05 0.1 0.2
2
5
0.5 1.0
10
h
re
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
h
fe
h
ie
h
oe
h Parameter vs. Collector to
Emitter Voltage
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
20
10
5
2
1.0
0.5
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
P
C
=
I
= 0.1 mA
f = 270 Hz
h
oe
h
re
h
oe
h
fe
h
ie
h
fe
h
ie
h
re
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參數(shù)描述
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2SC4580-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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