參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC458
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： 2SC458
2SC458 (LG), 2SC2310
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
2SC458 (LG)
2SC2310
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
30
—
—
55
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
30
—
—
50
—
—
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
5
—
—
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
—
—
0.5
—
—
0.5
μ
A
μ
A
V
CB
=18 V, I
E
= 0
V
EB
= 2 V, I
C
= 0
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
Emitter cutoff current
—
—
0.5
—
—
0.5
DC current transfer ratio h
FE
*
1
Collector to emitter
saturation voltage
100
—
500
100
—
320
V
CE(sat)
—
—
0.2
—
—
0.2
V
Base to emitter voltage
V
BE
—
0.67
0.75
—
0.67
0.75
V
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
V
CE
= 12 V, I
C
= 2 mA
V
= 10 V, I
E
= 0,
f = 1 MHz
Gain bandwidth product f
T
Collector output
capacitance
—
230
—
—
230
—
MHz
Cob
—
1.8
3.5
—
1.8
3.5
pF
Noise figure
NF
—
3
5
—
3
5
dB
V
= 6 V, I
= 0.1 mA,
f = 120 Hz, R
g
= 500
V
= 5V, I
C
= 0.1mA,
f = 270 Hz
Small signal input
impedance
h
ie
—
16.5
—
—
16.5
—
k
Small signal voltage
feedback ratio
h
re
—
70
—
—
70
—
×
10
–6
Small signal current
transfer ratio
h
fe
—
130
—
—
130
—
Small signal output
admittance
Note:
1. The 2SC458 (LG) and 2SC2310 are grouped by h
FE
as follows.
B
C
h
oe
—
11.0
—
—
11.0
—
μ
S
D
2SC458 (LG) 100 to 200
160 to 320
250 to 500
2SC2310
100 to 200
160 to 320
—
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