參數(shù)資料
型號: 2SC458
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial
中文描述: npn型硅外延
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 41K
代理商: 2SC458
2SC458 (LG), 2SC2310
5
Small Signal Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
S
f
0.03
0.1
30
0.3
3
1.0
10
0
100
200
300
f = 270 Hz
V
CE
= 12 V
Base to Emitter Voltage vs.
Ambient Temperature
Ambient Temperature Ta (
°
C)
–20
0
80
20
60
40
0.4
0.5
0.6
0.8
0.7
0.9
B
B
V
CE
= 12 V
I
C
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
4
20
8
16
12
0
1
2
4
3
5
C
o
(
I
E
= 0
f = 1 MHz
Emitter Input Capacitance vs.
Emitter to Base Voltage
Emitter to Base Voltage V
EB
(V)
2
10
4
8
6
0
1
2
4
3
5
E
i
(
I
= 0
f = 1 MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC4580-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4581 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4581-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4581-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2