參數(shù)資料
型號(hào): 2SC458
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial
中文描述: npn型硅外延
文件頁(yè)數(shù): 6/9頁(yè)
文件大小: 41K
代理商: 2SC458
2SC458 (LG), 2SC2310
6
Contours of Constant Noise Figure
S
g
(
k
)
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
Collector Current I
C
(mA)
0.05
0.1
0.2
1.0
0.5
2.0
V
CE
= 6 V
f = 120 Hz
NF = 1dB
2
3
4
6
8
8
6
10
12
14
Contours of Constant Noise Figure
S
g
(
k
)
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
Collector Current I
C
(mA)
0.05
0.1
0.2
1.0
0.5
2.0
3
4
3
8
4
8
2
1.0
V
= 6 V
f = 1 kHz
NF = 0.5 dB
Contours of Constant Noise Figure
S
g
(
k
)
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
Collector Current I
C
(mA)
0.05
0.1
0.2
1.0
0.5
2.0
1
2
V
CE
= 6 V
f = 10 kHz
NF = 0.5 dB
4
4
2
Noise Figure vs. Frequency
N
0
100
1k
3k
300
Frequency f (Hz)
10k
30k
30
2
4
6
8
10
I
C
= 0.1 mA
R
g
= 500
V
CE
= 6 V
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PDF描述
2SC2324 Silicon NPN Epitaxial
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參數(shù)描述
2SC4580-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4580-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4581 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC4581-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4581-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2