參數(shù)資料
型號： 2SC458
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： 2SC458
2SC458 (LG), 2SC2310
4
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
C
Maximum Collector Dissipation Curve
300
200
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0
C
C
Typical Output Characteristics
10
8
6
4
2
25
20
15
10
5
I
B
= 0
10
μ
A
20
30
40
50
60
P
C
=200mW
Typical Transfer Characteristics
C
C
1
0
2
3
4
5
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
CE
= 12 V
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
0.03
0.1
30
0.3
3
1.0
10
0
100
200
300
D
h
F
V
CE
= 12 V
25
Ta = 75
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC4580-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SC4581-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4581-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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