參數(shù)資料
型號： μPD4564441
廠商： NEC Corp.
英文描述： 64M-bit Synchronous DRAM(64M同步動態(tài)RAM)
中文描述： 6400位同步DRAM（6400同步動態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 30/84頁
文件大?。?/td> 697K
代理商： ΜPD4564441
30
μ
PD4564441, 4564841, 4564163 for Rev. E
11.4 Read to Write Command Interval
During a read cycle, READ can be interrupted by WRITE.
The Read and Write command interval is 1 cycle minimum. There is a restriction to avoid data conflict. The Data
bus must be Hi-Z using DQM before WRITE.
READ can be interrupted by WRITE. DQM must be High at least 3 clocks prior to the Write command.
D1
D2
D3
D4
Read
DQ
Command
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 4
Write
DQM
Hi-Z
1cycle
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 8
T9
Q1
Q2
Q3
Read
DQ
Command
D1
D2
D3
Write
DQM
Hi-Z is
necessary
Q1
Q2
Read
DQ
Command
D1
D2
D3
Write
DQM
Hi-Z is
necessary
/CAS latency = 2
/CAS latency = 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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