參數(shù)資料
型號: XC3S1200E-5FTG256C
廠商: Xilinx Inc
文件頁數(shù): 165/227頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA SPARTAN3E 1200K 256FTBGA
標準包裝: 90
系列: Spartan®-3E
LAB/CLB數(shù): 2168
邏輯元件/單元數(shù): 19512
RAM 位總計: 516096
輸入/輸出數(shù): 190
門數(shù): 1200000
電源電壓: 1.14 V ~ 1.26 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 85°C
封裝/外殼: 256-LBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 256-FTBGA
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Spartan-3E FPGA Family: Functional Description
DS312 (v4.1) July 19, 2013
Product Specification
42
Setting the WRITE_MODE attribute to a value of
NO_CHANGE, puts the DO outputs in a latched state when
asserting WE. Under this condition, the DO outputs retain
the data driven just before WE is asserted. NO_CHANGE
timing is shown in the portion of Figure 35 during which WE
is High.
X-Ref Target - Figure 34
Figure 34: Waveforms of Block RAM Data Operations with READ_FIRST Selected
X-Ref Target - Figure 35
Figure 35: Waveforms of Block RAM Data Operations with NO_CHANGE Selected
CLK
WE
DI
ADDR
DO
EN
DISABLED
READ
XXXX
1111
2222
XXXX
aa
bb
cc
dd
0000
MEM(aa)
old MEM(bb)
old MEM(cc)
MEM(dd)
READ
WRITE
MEM(bb)=1111
WRITE
MEM(cc)=2222
DS312-2_06_020905
Data_in
Internal
Memory
DO
Prior stored data
DI
CLK
WE
DI
ADDR
DO
EN
DISABLED
READ
XXXX
1111
2222
XXXX
aa
bb
cc
dd
0000
MEM(aa)
MEM(dd)
READ
WRITE
MEM(bb)=1111
WRITE
MEM(cc)=2222
DS312-2_07_020905
Data_in
Internal
Memory
DO
No change during write
DI
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PDF描述
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