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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25X80ALDAIZ |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| 封裝： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 26/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1342K |
| 代理商： | W25X80ALDAIZ |
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W25X10AL, W25X20AL, W25X40AL, W25X80AL
- 32 -
11.3 Endurance and Data Retention
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
Erase/Program Cycles
4KB sector, 64KB block or full chip.
100,000
cycles
Data Retention
55°C
20
years
11.4 Power-up Timing and Write Inhibit Threshold
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNIT
VCC (min) to /CS Low
tVSL(1)
10
s
Time Delay Before Write Instruction
tPUW(1)
1
10
ms
Write Inhibit Threshold Voltage
VWI(1)
1
2
V
Note:
1. These parameters are characterized only.
Figure 20. Power-up Timing and Voltage Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS512K32L-15H1Q | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 15 ns, CPGA66 |
| WS512K32L-15H1M | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 15 ns, CPGA66 |
| WS512K32L-15G4TMA | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 15 ns, CQFP68 |
| WS512K32-45H1C | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 45 ns, CPGA66 |
| WS512K32-15H1CA | 512K X 32 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 15 ns, CPGA66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25X80ALSNIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X80ALSNIZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X80ALSSIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X80ALSSIZ | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X80ALZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
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