- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄203625 > W25X40AVSSIG (WINBOND ELECTRONICS CORP) 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W25X40AVSSIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 30/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1344K |
| 代理商： | W25X40AVSSIG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當(dāng)前第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁
W25X10A, W25X20A, W25X40A, W25X80A
- 36 -
11.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Setup Time relative to CLK
tHLCH
5
ns
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic
Signature Read
tRES2(2)
1.8
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (5)
tBP1
30
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (5)
tBP2
6
12
s
Page Program Time
tPP
1.5
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
120
250
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE
0.4
1
s
Chip Erase Time W25X10A / W25X20A
Chip Erase Time W25X40A
Chip Erase Time W25X80A
tCE
1.5
3
6
3
5
10
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when Sector Protect Bit is set to 1.
4.
Commercial temperature only applies to Fast Read (FR1). Industrial temperature applies to all other parameters.
5.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where
N = number of bytes programmed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25X80AVDAIZ | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| W25X80ALSSIG | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W25X40ALDAIZ | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| W25X10ALSNIG | 128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W27C257P-12 | 32K X 8 EEPROM 12V, 120 ns, PQCC32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25X40AVZPIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 100MHZ 8WSON RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| W25X40BL | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI |
| W25X40BLDAIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI |
| W25X40BLSNIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI |
| W25X40BLSSIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT AND 4M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL I/O SPI |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。