參數(shù)資料
型號(hào)： VNS1NV04D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/14頁(yè)
文件大小： 244K
代理商： VNS1NV04D
2/14
VNS1NV04D
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
CONNECTION DIAGRAM (TOP VIEW)
Symbol
V
DSn
V
INn
I
INn
R
IN MINn
I
Dn
I
Rn
V
ESD1
V
ESD2
P
tot
T
j
T
c
T
stg
Parameter
Value
Unit
V
V
mA
A
A
V
V
W
°C
°C
°C
Drain-source Voltage (V
INn
=0V)
Input Voltage
Input Current
Minimum Input Series Impedance
Drain Current
Reverse DC Output Current
Electrostatic Discharge (R=1.5K
, C=100pF)
Electrostatic Discharge on output pins only (R=330
, C=150pF)
Total Dissipation at T
c
=25°C
Operating Junction Temperature
Case Operating Temperature
Storage Temperature
Internally Clamped
Internally Clamped
+/-20
330
Internally Limited
-3
4000
16500
4
Internally limited
Internally limited
-55 to 150
DRAIN 1
INPUT 1
SOURCE 2
I
IN1
V
IN1
INPUT 2
I
IN2
SOURCE 1
DRAIN 2
V
IN2
I
D2
I
D1
V
DS1
V
DS1
R
IN1
R
IN2
1
CURRENT AND VOLTAGE CONVENTIONS
DRAIN 2
DRAIN 1
DRAIN 1
8
DRAIN 2
INPUT 2
SOURCE 1
INPUT 1
SOURCE 2
1
4
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNS3NV04D-E OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNS3NV04D “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNS7NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNS7NV0413TR THERMISTOR, PTC; Series:B598; Thermistor type:PTC; Resistance:6R; Tolerance, resistance:+/-25%; Temp, op. max:125(degree C); Voltage, operating:160V; Case style:Radial; Current, tripping:0.8A; Diameter, body:17.5mm; Length, RoHS Compliant: Yes
VNT008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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