參數(shù)資料
型號： VNS1NV04D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大小： 244K
代理商： VNS1NV04D
12/14
VNS1NV04D
1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
1.75
0.068
a1
0.1
0.25
0.003
0.009
a2
1.65
0.064
a3
0.65
0.85
0.025
0.033
b
0.35
0.48
0.013
0.018
b1
0.19
0.25
0.007
0.010
C
0.25
0.5
0.010
0.019
c1
45 (typ.)
D
4.8
5.0
0.188
0.196
E
5.8
6.2
0.228
0.244
e
1.27
0.050
e3
3.81
0.150
F
3.8
4.0
0.14
0.157
L
0.4
1.27
0.015
0.050
M
0.6
0.023
F
8 (max.)
SO-8 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNS3NV04D-E OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNS3NV04D “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNS7NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNS7NV0413TR THERMISTOR, PTC; Series:B598; Thermistor type:PTC; Resistance:6R; Tolerance, resistance:+/-25%; Temp, op. max:125(degree C); Voltage, operating:160V; Case style:Radial; Current, tripping:0.8A; Diameter, body:17.5mm; Length, RoHS Compliant: Yes
VNT008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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VNS1NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS1NV04DP-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS1NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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