參數(shù)資料
型號(hào)： VNN7NV0413TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/29頁
文件大?。?/td> 488K
代理商： VNN7NV0413TR
8/29
VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1
1
1
Source-Drain Diode Forward Characteristics
Derating Curve
Static Drain Source On Resistance
Static Drain-Source On resistance Vs. Input
Voltage
Transconductance
0
2
4
6
8
10
12
14
Id(A)
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
Vsd (mV)
Vin=0V
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
Id(A)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Rds(on) (mOhm)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj= - 40oC
Vin=2.5V
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
Vin(V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
Rds(on) (mOhm)
Id=3.5A
Tj=150oC
Tj= - 40oC
Tj=25oC
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Id(A)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Gfs (S)
Vds=13V
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin(V)
0
20
40
60
80
100
120
140
Rds(on) (mOhm)
Id=6A
Id=1A
Id=6A
Id=1A
Id=6A
Id=1A
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Static Drain-Source On resistance Vs. Input
Voltage
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PDF描述
VNK10N07FM ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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VNP10N06-E 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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