參數(shù)資料
型號： VNN7NV0413TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 15/29頁
文件大?。?/td> 488K
代理商： VNN7NV0413TR
15/29
VNN7NV04 / VNS7NV04 / VND7NV04 / VND7NV04-1
SO-8 PC Board
R
thj-amb
Vs PCB copper area in open box free air condition
SO-8 THERMAL DATA
Layout condition of R
and Z
measurements (PCB FR4 area= 58mm x 58mm, PCB thickness=2mm,
Cu thickness=35
μ
m, Copper areas: 0.14cm
2
, 0.6cm
2
, 1.6cm
2
).
SO-8 at 4 pins connected to TAB
70
75
80
85
90
95
100
105
110
0
0.5
1
1.5
2
2.5
PCB CU heatsink area (cm^2)
RTHj_amb
(oC/W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNK10N07FM ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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VND600TR-E DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
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VT5365V032 Single-chip optical mouse sensor for wireless applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNN7NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 6A OMNIFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNN7NV04TR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNP10N06 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNP10N06-E 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNP10N06FI 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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